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BSZ058N03MS G产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSZ058N03MS G由Infineon设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 提供BSZ058N03MS G价格参考以及InfineonBSZ058N03MS G封装/规格参数等产品信息。 你可以下载BSZ058N03MS G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书, 资料中有BSZ058N03MS G详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 40A TSDSON-8MOSFET OptiMOS 3 M-SERIES |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
品牌 | Infineon Technologies |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Infineon Technologies BSZ058N03MS GOptiMOS™ |
数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/BSZ058N03MSG_rev1.4.pdf?folderId=db3a304313d846880113d91d60c500c4&fileId=db3a304313d846880113ddee2ce902ed |
产品型号 | BSZ058N03MS G |
Pd-PowerDissipation | 2.1 W |
Pd-功率耗散 | 2.1 W |
RdsOn-漏源导通电阻 | 5 mOhms |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 3.8 ns |
下降时间 | 3 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 40nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 20A,10V |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | PG-TSDSON-8(3.3x3.3) |
其它名称 | BSZ058N03MSGINDKR |
典型关闭延迟时间 | 24 ns |
功率-最大值 | 45W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Infineon Technologies |
商标名 | OptiMOS |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 5 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
封装/箱体 | TSDSON-8 |
工厂包装数量 | 5000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | 30 V |
漏极连续电流 | 14 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Ta), 40A (Tc) |
系列 | BSZ058N03 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
零件号别名 | BSZ058N03MSGATMA1 SP000311508 |
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